1.简述半导体材料的概念，特征及发展历史，并分别表明代表性的材料。2.杂质条纹，组分过冷，硅单晶质量检测的要求。
3．简述晶体生长的三种方式；均匀成核与非均匀成核；简述晶体长大的三种动力学模型及其要点；光滑面与粗糙面的定义。4.简述硅锗单晶的生长方法及定义。
5．简述硅锗的杂质的分类；简述杂质对材料性能的影响的几个方面6.指出高纯硅的制备方法，并说明具体步骤；简述高纯锗的制取方法。
7.回答以下概念：1）分凝现象；2）区熔提纯3)bps公式的物理意义及表达式，并分别说明各符号的意义；4）正常凝固及正常凝固后锭条中杂质分布的三种情况。
8.外延生长的概念实质分类；简述硅外延层的缺陷。1.
什么是分凝现象？平衡分凝系数？有效分凝系数？
2.写出bps公式及各个物理量的含义，并讨论影响分凝系数的因素。
3.分别写出正常凝固过程、一次区熔过程锭条中杂质浓度cs公式，并说明各个物理量的含义。4.
说明为什么实际区熔时，最初几次要选择大熔区后几次用小熔区的工艺条件。试述结晶相变的热力学条件、动力学条件、能量及结构条件。什么叫临界晶核？
它的物理意义及与过冷度的定量关系如何？形核为什么需要形核功？均匀形核与非均匀形核形核功有何差别？
硅锗中杂质的分类杂质对材料性能的影响。
直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制方法位错对材料性能的影响位错对器件的影响。
名词解释：同质外延，异质外延，直接外延，间接外延，正外延，反外延，自掺杂，外掺杂外延不同的分类方法以及每种分类所包括的种类硅气相外延原料硅气相外延分类。
用sicl4外延硅的原理以及影响硅外延生长的因素抑制自掺杂的途径？如何防止外延层的夹层？硅的异质外延有哪两种。
在sos技术中存在着外延层的生长和腐蚀的矛盾，如何解决？soi材料的制备方法有哪些？各自是如何实现的？
什么是同质外延，异质外延，直接外延，间接外延？什么是自掺杂？外掺杂？
抑制自掺杂的途径有哪些？什么是sos,soi技术。
soi材料的生长方法有哪些？每种方法是如何实现的？
什么是直接跃迁型能带，什么是间接跃迁型能带？硅锗属于什么类型，砷化镓属于什么类型？砷化镓单晶的生长方法有哪几种？磷化镓单晶的生长方法二．论述题。
1.论述半导体单晶材料中位错的**；论述直拉工艺中降低氧含量的措施；论述位错对材料和器件性能的影响；论述拉制无位错单晶的工艺。
论述直拉法工艺的定义、工艺流程、需控制的参数、特点；
论述在直拉法中杂质的掺入方法以及单晶中杂质均匀分布的控制方法。为什么硅出厂前要进行热处理？外延生长有哪些特点？常用的外延生长方法有？
半导体材料
半导体材料的类型。半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体 无机化合物半导体 有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。半导体材料的晶体结构有金刚石型，闪锌矿型，纤锌矿型以及nacl型。而其中金刚石型的有si，金刚石...
半导体材料
深圳大学考试答题纸。以 报告等形式考核专用 二 一三 二 一四学年度第一学期。作者 陈利锋。137 摘要 锗 旧译作鈤 是一种化学元素，它的化学符号是ge，原子序数是32。它是一种灰白色类金属，有光泽，质硬，属于碳族，化学性质与同族的锡与硅相近。锗 锡和铅在元素周期表中是同属一族，后两者早被古代人们...
半导体材料
国内外硅材料市场的差距。发布日期 2008 09 17 网络作者 网络阅读 字体选择 大中小 国内8英寸和12英寸集成电路生产线基本上都是合资厂和国外独资工厂，他们不但有成熟的工艺路线，也有稳定的 商和客户。intel amd 中芯国际等国际上大的集成电路公司基本上都是由shinetsu 信越 su...