刘晓捷12307130035
1.金属带隙小，电子很容易在室温下从价带跃迁到导带，半满的价带能够导电；绝缘体带隙很大，电子不能从价带跃迁到导带，故价带是满带，不能导电；半导体的带隙介于两者之间，电子在一定条件下跃迁到导带，故能控制半导体的迁移率。
1.首先我们考察两个si原子相互靠近，由化学键理论，si原子间将形成共价键，并释放能量。共价键包括成键轨道与反键轨道，电子将以不同的自旋方向同时处于成键轨道（成键轨道的能量低于反键轨道）。
当无数个si原子相互靠近，也类似的形成两个轨道，这些成键轨道将以非常小的间距组合形成价带，同样反键轨道的结合形成导带，而成键轨道与反键轨道的能量差为形成共价键时释放的能量，称为禁带宽度。
对金属，形成化学键释放的能量低，故带隙小易导电；对绝缘体，形成化学键释放的能量很高，故带隙大不导电；对半导体，释放的能量介于两者之间，故导电可控。
2.分子轨道理论是处理双原子分子以及多原子分子结构的一种有效的近似方法。按照上一题的分析，无数共价键（成键轨道与反键轨道）的形成，组合出了近似连续的能带，即为固体能带。
的禁带宽度递减，很好的说明了上述的理论——原子半径越小，结合时释放的能量越高，禁带宽度越大。三者迁移率递增，说明本征激发的ni递增，由ni^2=np间接证明了禁带宽度递减。
半导体材料
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