三极管的主要参数，主要有四个方面的参数，一个是icm是指集电集允许通过的最大电流，当电流超过这个电流值时，电流的放大系数就会降低，没有达到最佳的放大效果，所了一般的电流都会比icm这个电流值小，当电流值大于这个数值时也不至于会使三极管损坏，只是会影响工作性能。二是bvceo，当基极断路时，集电极和发射有电压通过，发生反向击穿，这种击穿是不可逆的，在集电极产生很大的电流。三是pcm，是集电极允许耗散的功率，电流在集电极上会产生热能，当产生的热能不能及时的排除掉的话，就会烧坏三极管。
需要注意的是一般的说明书上说的功率都是在有散热器的条件下的功率，在实际生活中不能达到这种条件的，会比较小点，这样才可以延长器件的使用寿命。四是特征频率ft，承随着频率的升高，三极管的放大功能会下降，对于放大系数为1的频率ft叫作三极管的特征频率。在工程设计中，一般会要求特征频率大于三倍的工作频率，但硅的特征频率一般不低于50mhz，所以一般在音频电子电路中不用考虑特征频率的问题，它一般都会满足的。
还有就是三极管的集电极和发射极之间的反向击穿电压，一般的只要反向击穿电压大于电源电压即可，但一般小功率的三极管的反向击穿电压一般不会低于15v，所以这个问题也不用考虑了。一般的icm也是不用考虑的，对于音频电子电路而言。一般的三极管的icm为30～50ma。
我们知道了集电极的电流大小，和集电极和发射极之间的电压，就可以根据公式p=u*i来计算pcm了。总之在三极管的使用过程中，一般会用大能代小的原则，即大反向电压的三极管可以代替小电压的三极管，大电流的三极管可以代替小电流的三极管。
三极管在说明书上的代号，a代表的是pnp锗型材料，b代表的是npn型锗材料，c代表的是pnp型硅材料，d代表的是npn型硅材料。u代表的是光电管，k代表的开关管，x代表的是低频小功率管，g代表的是高频小功率管，d代表的是低频大功率管，a代表的是高频大功率管。
三极管的分类方法有一是按材料分类，有pnp和npn锗型管，还有pnp和npn硅型管。按照功率分类有大功率，中功率，小功率。三是按频率分类，有低频三极管，高频三极管，和超高频三极管。
还可以按照，封装来分类，分为塑料，金属，还有陶瓷，玻璃等等。
三极管的结构，三极管共有两个pn结，有npn和pnp两种类型，有集电极，发射极和基极三个引脚。在发射极与基极之间的pn结称为发射结，在集电极和基极之间的pn结为集电结。基中c代表的是集电结，b代表的是基极，e代表的是发射极。
三极管也称为双极型。
晶体管，在电路中用t来表示，由于三极管中的两个pn结相互影响，使得三极管具有电流放大功能。三极管的三个区，还有三极管的符号中的箭头，代表的是发射极处于正向偏置时的电流方向。三极管的三个共分别为集电区，发射区和基区。
npn型和pnp型主要的区别就是在发射区电流的流向。也正因为如此可以区分三极管的类型。若知道电流的流向，正向偏置时，可以知道pn结的电流方向是由p区流向n区，电流由**流出，**就是p区，另一端就是n区，这样就可以判断这个三极管是npn型的还是pnp型的。
三极管的三个极代表的英文是基极是base,发射极是emission,集电极是collector.其中的发射极掺杂浓度最高，集电极的浓度比发射极的小，且集电极的面积最大，基极的面积最小，且掺杂的浓度也最小。电压的方向问题，发射极应加上的是正向电压即是正向偏置，集电极应加上反向电压，即是反向偏置。
电子在三极管中的流向，发射区向基区注入电子，同时电子从b区和c区流出。用电流来讲就是电流从发射极流出，从基极和集电极流入。ie=ic+ib，通过前面的学习我们知道pn结正向偏置时，电流与电压呈现指数关系。
三极管在电路中的连接方式有菜发射极连接和菜基极连接还有就是共集电极连接。在三极管中，当发射极处于正向偏置时，硅管的发射极与基极之间的电压值为0.7v，锗管的发射极与基极之间的电压值为0.
2v。当集电极处于反向偏置时，集电极与基极之间的电压值大于1v。注意以上所有数据均是带绝对值的，因为有方向之分，有正有负的，但大小不会变。
再则是pnp管和npn管的区分，npn集电极上的电压大于发射极上的电压，pnp管上的集电极上的电压值小于发射极上的电压。三极管的主要参数有电流放大系数，有公式如下，分为交流电和直流电的公式，还分为共射电流放大系数，其中的直流电放大系数b=ic/ib,再则是交流电的放大系数等于集电极上的电流变化量除以基极上的变化量。另一个是共基极电流放大电路，直流电流的放大系数b=ic/ib,交流电的放大系数等于集电极上的电压除以发射极上的电压。
两种放大系数之间又有关系，b=a/(1-a),还有a=b/(1+b).三极管的每二个的参数是极限参数，即是指集电极允许通过的最大电流，还有就是集最极的最大消耗功率。同时功率还受到温度的影响，温度越高，功率也就越小。
集电极和发射极之间的反向击穿电压。最后，三极管的简化直流模型，分为三类，一个是截止模型，二是饱和模型，三是放大模型，前两个模型都没有电流流过三极管，只有在放大模型下才有电流流过。三极管为非线性元件，但在实际的应用中，有时可忽略曲线，把三极管当做是线性元件来使用。
由此引进了h参数。在h参数等效电路，需要注意的几个问题，一个是h参数是针对交流电的而不能用于直流电中。二是电路中所用的电流源和电压源必须是受控源，其方向不可随意假设，三是h参数是在某个静态工作点测得的，其值与这个静态工作点有关。
三极管的放大原理，就是给发射极加上正向电压，给集电极加上反向电压，这样的话，发射极的电子向基极扩散，同时，外电源又向基极提供空穴，使得电子和空穴在基极复合，还有就是集电极对电子的收集，就是说，通过改变基极的电流可以改变集电极的电流，原则上说，三极管是对电流的放大，但在集电极的电阻作用下，也可以将对电流放转换为电压输出，也就是说，三极管不仅可以对电流放大，也可以对电压放大。
三极管知识简介
概述。半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个pn结构成的，而三极管由两个pn结构成，共用的一个电极成为三极管的基极 用字母b表示 其他的两个电极成为集电极 用字母c表示 和发射极 用字母e表示 由...
三极管的作用 三极管放大电路原理
一 放大电路的组成与各元件的作用。rb和rc 提供适合偏置 发射结正偏，集电结反偏。c1 c2是隔直 耦合 电容，隔直流通交流。共射放大电路。vs rs 信号源电压与内阻 rl 负载电阻，将集电极电流的变化 ic转换为集电极与发射极间的电压变化 vce 二 放大电路的基本工作原理。静态 vi 0,假...
三极管放大基本知识
三极管的电流放大原理 晶体三极管 以下简称三极管 按材料分有两种 锗管和硅管。而每一种又有npn和pnp两种结构形式，但使用最多的是硅npn和pnp两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍npn硅管的电流放大原理。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而c...