半导体二极管在高频中主要用于开关、检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中。
一、高频二极管的主要参数。
1）最大整流电流ifｍ
二极管在长期稳定工作时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过pn结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使pn结烧坏，所以在实际应用时工作电流通常小于ifm。
2）最大可重复峰值反向电压vrrm
指所能重复施加的反向最高峰值电压，通常是反向击穿电压vbr的一半。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。
3）反向恢复时间trr
当工作电压从正向电压变成反向电压时，电流不能瞬时截止，需延迟一段时间，延迟的时间就是反向恢复时间。trr直接影响二极管的开关速度，在高频开关状态时，通常此值越小越好。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要，trr越小管子升温越小，效率越高。
4）结电容cj
图1所示的pn 结高频等效电路，其中r表示结电阻，cj表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果，它的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当pn结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大(主要决定于扩散电容cd)。当pn结处于反向偏置时，r为反向电阻，其数值较大，结电容较小 (主要决定于势垒电容cb) 。
图1 pn结的高频等效电路。
5）正向电压降vf
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。通常硅材料的二极管vf大于1v，锗材料、肖特基二极管为0.5v左右。
6）反向电流ir
指管子击穿时的反向电流，其值愈小，则管子的单向导电性愈好。反向电流ir与温度有密切联系，温度越高，反向电流ir会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。
一般半导体器件手册中都给出不同型号管子的参数，这是正确使用二极管的依据。在高频应用场合，要注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压的同时，还应特别注意二极管的最高工作频率（通常由反向恢复时间trr和结电容cj决定），否则电路工作不正常或者管子升温严重，影响可靠性。
二、几种常用高频二极管的特点。
1、快恢复二极管frd（fast recovery diode）
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在p型、n型硅材料中间增加了基区i，构成p-i-n硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。
具有开关特性好，反向恢复时间trr短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。可广泛用于开关电源、脉宽调制器（pwm）、不间断电源（ups）、交流电动机变频调速（vvvf）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管。
2、超快恢复二极管srd （supe***st recovery diode）
在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr比frd更短，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
3、肖特基二极管sbd（schottky barrier diode）
是肖特基势垒二极管的简称。肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，肖特基二极管也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
sbd的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如x波段、c波段、s波段和ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。
肖特基二极管的主要优点包括两个方面：
1）由于肖特基势垒高度低于pn结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比pn结二极管低（约低0.2v）。
2）由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于pn结二极管的反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小。
当然，由于肖特基二极管的反向势垒较薄，并且在其表面较易击穿，所以反向击穿电压比较低；肖特基二极管比pn结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比pn结二极管大。不过近几年，sbd已取得了突破性的进展，150v和200v的高压sbd已经上市，使用新型材料制作的超过1kv的sbd也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
4、检波二极管。
检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。虽然检波和整流的原理是一样的，而整流的目的只是为了得到直流电，而检波则是从被调制波中取出信号成分（包络线）。
因检波是对高频波整流，二极管的结电容一定要小，通常为点接触二极管；为提高检波效率，要求正向电压降vf要小，所以通常采用正向压降比较低的锗材料，目前，结电容小的肖特基二极管已广泛应用检波领域，如1n60。
5、开关二极管。
利用其单向导电特性使其成为了一个较理想的电子开关。半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开关打开（电路切断），所以二极管可作开关用。开关二极管是专门用来做开关用的二极管，它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短。
开关二极管除能满足普通二极管的性能指标要求外，还具有良好的高频开关特性（反向恢复时间较短），被广泛应用于各类高频电路中。
开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管等多种。常用的国产普通开关二极管有2ak系列，高速开关二极管有2ck系列。进口高速、超高速开关二极管有1n系列、1s系列、1ss系列（有引线塑封）和rls系列（表面安装）等等。
6、pin型二极管（pin diode）
这是在p区和n区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。pin中的i是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100mhz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。
在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把pin二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。
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